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电路设计->基础电路图->模拟基础电路图->MOSFET栅陷测试振荡器电路图

MOSFET栅陷测试振荡器电路图

作者:dolphin时间:2014-05-05

接地的外流科尔皮兹振荡器的输出使用美国无线电公司的N通道双栅场效应管,Q1是由CR1检测的,被Q2放大,可用来驱动振荡器。振荡频率是由C1,C2,C3和L1决定的,当L1减小时,频率可达到250MHz。表格给出了9个频率范围内的插件L1-C1-C2的值。电路的预设电源电压是12V,不过在9V的电源下也能正常工作,如果使用漏电阻Rd的话,电路就会短路。电池消耗大约是20mA。所有的线圈都是以米伦45004的形式缠绕的。

MOSFET栅陷测试振荡器.jpg



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