20A输出SiC功率模块：重新定义三相发电系统设计！

Cree的1.2kV，六组封装的碳化硅（SiC）功率模块系列产品自推出以来一直备受市场青睐，近来Cree公司又针对三相发电系统应用市场推出了最大输出电流可达20A的全碳化硅功率模块CCS020M12CM2，该功率模块可以完美适用于5-15kW的应用场景。基于Cree的C2M™ SiC MOSFET和 Z-Rec® 碳化硅肖特基二级管技术，新的1.2kV，20A输出，六组封装全碳化硅功率模块可以帮助研发人员摆脱使用传统硅基质的逆变器在工业电源转换系统设计中所受到的功率密度，效率以及成本的束缚。全球发电系统设备领导企业Cummins已经测试并认证了Cree的1.2kV，六组封装全碳化硅功率模块系列产品应用于其逆变器平台的性能参数，此外，Cummins的工程师预备将该模块集成到他们下一代，更高效的产品中。

“使用Cree推出的新1.2kV，六组封装全碳化硅功率模块系列产品，可以使我们的逆变器相比于同级别产品额定功率增加40%，功率损失减少50%，整体效率提高5%”，Brad Palmer作为Cummins公司的电力电子产品设计师这样表示，“这个新的电源模块是一项重大的技术进步，额定电流输出能力是普通Si IGBT功率模块的四倍，我们很高兴能够有机会成为这项技术的早期测试人员，同时我们也很期待将应用这项新技术的功率模块应用于我们未来的产品设计中。”

该1.2kV，20A输出，六组封装全碳化硅功率模块具有行业内同类产品最低的开关切换损失，该优势是由于本产品利用了MOSFET的零开关尾电流和肖特基二极管的零反向恢复电流。对比同类Si IGBT功率模块，新的Cree 20A输出六组封装功率模块的工作结温更低，该技术优势可以使研发人员在不牺牲工作效率的前提下，更大程度的追求更高的工作频率和功率密度。

“Cree的碳化硅功率产品能够帮助我们的客户克服一直以来所受到的设计挑战，并获得系统级的优越性能，这些产品优势是传统硅基底模块所不具备的，”Cree的总经理兼副总裁Cengiz Balkas如是说。“Cummins公司利用我们的新产品所获得的成果保证其在获得高性能的同时，满足了开发速度，成本效益以及下一代功率转换产品的设计要求。”

Cree的1.2kV ，20A输出，六组封装全碳化硅功率模块CCS020M12CM2，配套的门级驱动评估板型号为CGD15FB45P