用分立元件仿制STRD6009E厚膜电路

　　下图为STRD6009E的内部电路，仿制时，VT1选用高反压大功率开关管，如：2SD1402、BU508等；VT2可选用中功率管，如：BU406、BU407等；VT3可选用中小功率PNP型硅管，如：2SA670、2SA671、2SB648等；电容C选用耐压在200V以上、容量为500pF左右的瓷片电容。