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峰值功率损耗减少60%的MOSFET,实现高达96%的系统效率

作者:angelazhang时间:2015-08-10

CREE的C2M系列碳化硅功率MOSFET C2M0025120D是其第二代Z-FET场效应管。1200V耐压,导通电阻25mΩ,N沟道增强模式,可减小25% 的产品体积,与传统硅变换器相比可减少超过60%的峰值功率损耗,帮助客户实现了业界领先的96% 的效率。


C2M0025120D可以提高系统效率,降低散热器冷却要求,增加功率密度,及系统开关频率,满足市场对高可靠性、高效率、紧凑型尺寸的需求。适用于太阳能逆变、开关模式的功率电源、高压DC/DC逆变器、电池充电器、电机驱动、脉冲功率应用等等。


C2M0025120D特性:

-新C2M MOS技术

-高阻断电压低电阻

-高开关速度低电容

-阻断电压高低RDS(on)

-易并联驱动简单

-抗闩锁

-雪崩耐用性

-无卤素,符合RoHS标准


C2M0025120D技术参数:

-封装:TO-247-3 

-闭锁电压:1200V

-额定电流:60A

-RDS (on):25 mΩ 

-栅电荷总量:161 nC 

-总的开关损耗:1.7 mJ

-最大结温:150 °C

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