光敏电阻的结构和原理

光敏电阻是利用半导体光电导现象来探测光信号的器件。它可以是单晶薄片、多晶薄片、烧结成的多晶薄膜、真空蒸发薄膜、化学淀积薄膜或溅射膜等。
　　光敏电阻又称为光导，几乎都是用半导体材料制成。光敏电阻的结构和接线图如图9\2所示。

　　光敏电阻在受到光的照射时，由于内光电效应使其导电性能增强，电阻值下降，所以流过负载电阻RL的电流及其两端电压也随之变化。光线越强，电流越大，阻值也变得越低。当光照停止时，光电效应消失，电阻恢复原值。若把光敏电阻接成闭合回路，通过改变光照的强度就可改变回路中的电流大小，可将光信号转换为电信号。
　　光敏半导体材料有硅、锗、硫化镉、硫化铅、锑化铟、硒化镉等。对于不具备发光特性的纯半导体可以加入适量杂质使之产生光电效应特性。用来产生这种效应的物质由金属的硫化物、硒化物、碲化物等组成，如硫化镉、硫化铅、硫化铊、硫化铋、硒化镉、硒化铅、碲化铅等。光敏电阻应用取决于它的一系列特性，如暗电流、光电流、光敏电阻的伏安特性、光照特性、光谱特性、频率特性、温度特性以及光敏电阻的灵敏度、时间常数和最佳工作电压等。